Износ накопителя от обновлений приложений на смартфоне: правда или миф

Обновления приложений стали рутиной для владельцев гаджетов. Кроме того, многие девайсы предлагают автоматические апдейты, что упрощает жизнь. Но возникает вопрос: влияет ли это на долговечность внутреннего хранилища? Флеш-память NAND, используемая в современных аппаратах, имеет предел выносливости, измеряемый в TBW — терабайтах записи.

В материале:

• Как работает флеш-память в смартфонах
• Расчёт износа от обновлений на реальном примере
• Средняя продолжительность жизни UFS 2.0, 3.x, 4.x
• Факты vs мифы: вредно ли часто обновлять
• Что такое виртуальная RAM и её влияние на износ накопителя
• Советы по минимизации износа
• Что это значит для нас?

Как работает флеш-память в смартфонах

В устройствах вроде тех, что на базе UFS storage, данные хранятся в ячейках NAND flash. Каждая ячейка выдерживает ограниченное число циклов перезаписи — от 300 для QLC до 3000 для TLC. Выравнивание износа (Wear leveling) распределяет нагрузку равномерно, предотвращая быструю деградацию. Причём, в 2025 году типичный телефон с 256 ГБ имеет TBW около 300–600 ТБ, что эквивалентно годам интенсивного использования.

Расчёт износа от обновлений на реальном примере

Возьмём список: приложения вроде Google Chrome (138 МБ), Yandex Go (220 МБ) или Brave (240 МБ) суммарно дают около 2–3 ГБ на обновление. Если обновлять еженедельно, за год — ~150 ГБ записи. Такой общий вес обновлений находит система за несколько дней у активного пользователя смартфона.

По данным теста Storage 2.0, последовательная запись достигает 1152 МБ/с, чтение — 1498 МБ/с. Такие показатели характерны для UFS 3.1 или 4.0, превосходя eMMC (до 250 МБ/с). Это значит, что аппарат оснащён современной флеш-памятью, где износ от записи минимален благодаря оптимизации. Для сравнения, конкуренты вроде NVMe в ПК имеют похожие TBW, но в мобильных устройствах акцент на энергоэффективность.

Провели тест, чтобы понять, какой накопитель у HUAWEI Pura 70

Для TBW в 300 ТБ это менее 0,05% износа ежегодно. Даже при ежедневных апдейтах (редкий сценарий) деградация займёт 5–10 лет. Накопитель скорее «устанет» от фото котиков, чем от апдейтов.

Средняя продолжительность жизни UFS 2.0, 3.x, 4.x

UFS 2.0, распространённый в смартфонах 2018–2020 годов, обычно обеспечивает TBW около 100–300 ТБ для объёмов 128–256 ГБ, что соответствует 5–8 годам службы при средней нагрузке (10–20 ГБ записей в неделю). Хотя некоторые источники утверждают, что реальные значения ближе к 50–150 ТБ (например, у многих смартфонов 2018–2020 годов).

FS 3.x (3.0/3.1), актуальный в моделях 2020–2023, повышает планку до 150–600 ТБ (но верхняя граница скорее относится к флагманам с TLC-памятью), продлевая жизнь до 7–12 лет благодаря удвоенным скоростям и лучшему wear leveling.

UFS 4.x, внедрённый в 2023–2025 годах, предлагает 300–1200 ТБ TBW (некоторые говорят о ~500–800 Тб в реальных тестах для 256 Гб накопителей) с последовательной записью до 2800 МБ/с, что даёт 10–15 лет долговечности даже при интенсивном использовании, включая виртуальную RAM.

Знаете ли вы, что?
Первый коммерческий SSD (1989 г., Digipro) стоил $50 000 за 20 МБ и использовался в военных системах. Сегодня за $50 можно купить SSD на 1 ТБ — в 50 000 раз больше памяти!

Эти цифры зависят от типа NAND (TLC преобладает) и паттернов использования; в реальности деградация проявляется замедлением, а не полным отказом.

Причём, UFS 4.x экономит энергию, снижая общий износ по сравнению с предшественниками.

Факты vs мифы: вредно ли часто обновлять

Миф: частые записи быстро изнашивают NAND. Факт: обновления — малая доля нагрузки по сравнению с фото/видео или виртуальной RAM. Согласно данным Tom's Hardware, реальный срок службы — 7+ лет при нормальном использовании. Reddit-пользователи подтверждают: износ заметен только при экстремальной записи (например, 27 ГБ/день — 15 лет жизни).

Что такое виртуальная RAM и её влияние на износ накопителя

Виртуальная ОЗУ, или Memory Extension в Android, представляет собой функцию, при которой часть внутреннего хранилища используется как расширение оперативной памяти. Это позволяет запускать больше приложений одновременно, но приводит к частым операциям чтения и записи на NAND flash. В результате износ ускоряется, поскольку swap-процессы генерируют тысячи мелких записей ежедневно. Например, при активном использовании виртуальной RAM на 3–6 ГБ нагрузка может достигать 10–20 ГБ записей в день, что сокращает TBW на 5–20% быстрее по сравнению с базовым сценарием. Но более типичный сценарий — 1—5 Гб.

Кроме того, это влияет на производительность: скорость виртуальной памяти ниже реальной RAM, а wear leveling помогает, но не полностью компенсирует.

Влияние сильнее в бюджетных моделях с TLC NAND, где циклы перезаписи ограничены, а в премиум-устройствах с UFS 4.0 эффект меньше благодаря лучшей оптимизации.

Тем не менее отключение виртуальной RAM в Android может сэкономить до 100 ГБ записи в месяц — как если бы вы удаляли 20 000 фото каждый год.

Советы по минимизации износа

1. Включите автоматические обновления только по Wi-Fi, чтобы избежать лишней записи в фоне;
2. Очищайте кэш приложений регулярно — это снижает объём данных;
3. Используйте SD-карту для медиафайлов, оставляя внутренний накопитель для системы;
4. Мониторьте TBW через приложения вроде AIDA64, если девайс позволяет;
5. Избегайте частого удаления/установки — лучше обновлять выборочно;
6. Используйте облачное хранилище для фото/видео;
7. Не заполняйте накопитель под завязку (оставляйте 10–20% свободного места для wear leveling);
8. Избегайте дешёвых смартфонов с eMMC (у них низкая скорость и выносливость);

Если возможно, выбирайте устройства с UFS 4.0 для большей выносливости.

Что это значит для нас?

Для обычного человека в России это подразумевает удобство: частые обновления не угрожают устройству, но помогают с безопасностью. Выгода — свежие фишки без риска, неудобство — временное потребление трафика.

Источник: Droidnews.ru.
💡 Есть что добавить? Пишите в комментариях!
📱 Следите за новостями: Telegram | Дзен | VK | RSS